近期国家自然科学基金委工程与材料科学部发布3个引导类原创探索计划项目指南，请有意申报的老师认真阅读项目指南，根据要求2023年11月24日起在国家自然科学基金网络信息系统内上报有关材料，并提前联系科研部，以便完成依托单位审核。3个项目指南计划资助平均资助强度均为200万元/项，资助方向如下：
1、“复杂恶劣条件下水电工程智能建设新理论新方法”引导类原创探索计划项目指南https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90823.htm，资助方向：
（一）复杂恶劣条件下堆石坝面板混凝土振捣探测智能感知。
（二）超深厚覆盖层堆石坝混凝土面板韧性时变分析。
（三）深埋超大规模地下厂房洞室群复杂岩体智能钻爆。
2、“集成电路关键材料前沿探索”引导类原创探索计划项目指南https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90825.htm，资助方向：
（一）极紫外高分子光刻胶。
（二）本征型层间互连封装光刻胶。
（三）集成电路用高分子复合材料界面微结构演变与失效机理研究。
（四）柔性集成电路载板的材料设计与性能调控。
（五）面向非硅CMOS器件的新型沟道材料。
（六）面向后摩尔时代低能耗器件的晶体栅介质材料。
（七）面向高集成度电光调制器的纳米光子材料。
（八）面向高密度三维堆叠存储阵列应用的铁电材料。
（九）晶圆级Sn-Ag微凸点互连材料。
（十）极限制程封装电接触材料精准构筑及电子结构调制。
3、“芯片亚纳米级制造前沿探索”引导类原创探索计划项目指南https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90822.htm，资助方向：
（一）芯片制造过程中的亚纳米级去除新原理与新方法
（二）芯片先进制程中的三维亚纳米级结构构筑新原理与新方法
（三）第四代半导体材料的亚纳米级制造新原理
（四）芯片亚纳米级制造过程中的缺陷检测与修复
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